Технология Trench IGBT

Сортировка:

Показать:

IGBT модуль Semikron SKM75GB176D 75 А 1700 В

Технические характеристики: Производитель Semikron Тип модуля IGBT модуль Количество ключей 2 Топология Полумост Обратное напряжение 1700 В Номинальный ток коллектора 75 А Темература хранения -40 - +150 °C Диапазон рабочих температур -40 - +125 °C ..

Категория:

Силовые полупроводниковые модули
Производитель:

Semikron
Количество:

Доставка 4 недели

Роз.: 7433.77 грн.

от 10шт: 6236.81 грн.

Кол-во

IGBT модуль Semikron SKIIP 13AC126V1 25 А 1200 В

Технические характеристики: Производитель Semikron Тип модуля IGBT модуль Количество ключей 2 Топология Полумост Обратное напряжение 1200 В Номинальный ток коллектора 25 А Темература хранения -40 - +150..

Категория:

Силовые полупроводниковые модули
Производитель:

Semikron
Количество:

108
Загрузить:

pdf

Роз.: 2381.33 грн.

от 10шт: 0.00 грн.

Кол-во

IGBT модуль Semikron SKM100GB12T4 100 А 1200 В

Технические характеристики: Производитель Semikron Тип модуля IGBT модуль Количество ключей 2 Топология Полумост Обратное напряжение 1200 В Номинальный ток коллектора 100 А Темература хранения -40 - +150 °C Диапазон рабочих температур -40 - +125 °C ..

Категория:

Силовые полупроводниковые модули
Производитель:

Semikron
Количество:

Доставка 4 недели

Роз.: 6866.80 грн.

от 10шт: 5543.83 грн.

Кол-во

IGBT модуль Semikron SKM1400GB12P4 1400 А 1200 В

Технические характеристики: Производитель Semikron Тип модуля IGBT модуль Количество ключей 2 Топология Полумост Обратное напряжение 1200 В Номинальный ток коллектора 1400 А Темература хранения -40 - +1..

Категория:

Силовые полупроводниковые модули
Производитель:

Semikron
Количество:

4
Загрузить:

pdf

Роз.: 34041.65 грн.

от 10шт: 0.00 грн.

Кол-во

IGBT модуль Semikron SKM150GAL12T4 179 А 1200 В

Технические характеристики: Производитель Semikron Тип модуля Диодно-тиристорный Количество ключей 1 Топология Полумост Обратное напряжение 1200 В Номинальный ток коллектора 179 А Темература хранения -4..

Категория:

Силовые полупроводниковые модули
Производитель:

Semikron
Количество:

Доставка 4 недели

Роз.: 8063.76 грн.

от 10шт: 6425.81 грн.

Кол-во

IGBT модуль Semikron SKM150GB12T 150 А 1200 В

Технические характеристики: Производитель Semikron Тип модуля IGBT модуль Количество ключей 2 Топология Полумост Обратное напряжение 1200 В Номинальный ток коллектора 150 А Темература хранения -40 - +15..

Категория:

Силовые полупроводниковые модули
Производитель:

Semikron
Количество:

Доставка 4 недели

Роз.: 10520.68 грн.

от 10шт: 8693.74 грн.

Кол-во

IGBT модуль Semikron SKM150GB17E4 150 А 1700 В

Технические характеристики: Производитель Semikron Тип модуля IGBT модуль Количество ключей 2 Топология Полумост Обратное напряжение 1700 В Номинальный ток коллектора 150 А Темература хранения -40 - +15..

Категория:

Силовые полупроводниковые модули
Производитель:

Semikron
Количество:

Доставка 4 недели

Роз.: 9764.70 грн.

от 10шт: 8189.75 грн.

Кол-во

IGBT модуль Semikron SKM200GB12T4 241 А 1200 В

IGBT модуль Semikron SKM200GB12T4 241 А 1200 В — силовой полупроводниковый модуль промышленного назначения, выполненный по полумостовой схеме на базе IGBT-транзисторов четвертого поколения. Модель рассчитана на номинальный ток 241 А и напряжение 1200 В, обеспечивает высокую эффективность коммутации,..

Категория:

Силовые полупроводниковые модули
Производитель:

Semikron
Количество:

Доставка 4 недели
Загрузить:

pdf

Роз.: 15757.08 грн.

от 10шт: 12496.93 грн.

Кол-во

IGBT модуль Semikron SKM300GB12T4 324 А 1200 В

Технические характеристики: Производитель Semikron Тип модуля IGBT модуль Количество ключей 2 Топология Полумост Обратное напряжение 1200 В Номинальный ток коллектора 324 А Темература хранения -40 - +150 °C Диапазон рабочих температур -40 - +125 °C ..

Категория:

Силовые полупроводниковые модули
Производитель:

Semikron
Количество:

12
Загрузить:

pdf

Роз.: 7874.76 грн.

от 10шт: 6362.81 грн.

Кол-во

IGBT модуль Semikron SKM400GB12T4 400 А 1200 В

Технические характеристики: Производитель Semikron Тип модуля IGBT модуль Количество ключей 2 Топология Полумост Обратное напряжение 1200 В Номинальный ток коллектора 400 А Темература хранения -40 - +150 °C Диапазон рабочих температур -40 - +125 °C ..

Категория:

Силовые полупроводниковые модули
Производитель:

Semikron
Количество:

Доставка 4 недели

Роз.: 29546.10 грн.

от 10шт: 21923.33 грн.

Кол-во

Показано с 1 по 10 из 46 (всего 5 страниц)

Trench IGBT технология представляет собой инновационный подход к созданию силовых модулей, который привносит эффективность и надежность в различные энергетические системы. Давайте ближе рассмотрим, как эта технология меняет игру в области силовой электроники.

Основы Trench IGBT технологии

Trench IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) - это технология, основанная на использовании структуры траншей для управления потоком энергии.

Принцип работы

Траншеи в структуре позволяют более эффективно управлять процессом переключения, снижая потери энергии.

Преимущества Trench IGBT технологии

Высокая эффективность

Силовые модули, построенные на технологии Trench IGBT, обеспечивают высокую эффективность преобразования энергии.

Низкие потери энергии

Структура траншей снижает тепловые потери и улучшает общую производительность.

Высокая скорость переключения

Trench IGBT технология позволяет достичь высоких скоростей переключения, что важно для точного управления силовыми системами.

Применение Trench IGBT технологии в силовых модулях

Инверторы для возобновляемых источников энергии

Trench IGBT модули активно используются в инверторах, преобразующих энергию из возобновляемых источников.

Применение в промышленных электроприводах

Силовые модули с технологией Trench IGBT находят широкое применение в промышленных электроприводах, где требуется высокая эффективность.

Преимущества Trench IGBT в силовых модулях

Улучшенная тепловая устойчивость

Структура траншей позволяет эффективнее распределять тепло, повышая тепловую устойчивость силовых модулей.

Снижение размеров и веса

Эффективное управление энергией позволяет создавать компактные и легкие силовые модули.

Trench IGBT Технология - передовое решение в силовой электронике

Trench IGBT технология становится нормой в силовой электронике, предоставляя эффективные решения для современных энергетических вызовов. Использование силовых модулей с технологией Trench IGBT обеспечивает высокую эффективность, надежность и широкий спектр применения в различных областях промышленности и энергетики.