Технология Trench IGBT

Сортировка:

Показать:

IGBT модуль StarPower GD100HFY120C1S 155 А 1200 В

Технические характеристики: Производитель StarPower Тип модуля IGBT модуль Количество ключей 2 Топология Полумост Обратное напряжение 1200 В Номинальный ток коллектора 155 А Темература хранения -40 - +1..

Категория:

Силовые полупроводниковые модули
Производитель:

StarPower
Количество:

2.000

Роз.: 2330.82 грн.

от 10шт: 2267.82 грн.

Кол-во

IGBT модуль StarPower GD25FSY120L2S 50 А 1200 В

Технические характеристики: Производитель StarPower Тип модуля IGBT модуль Количество ключей 6 Топология 3-фазный мост IGBT Обратное напряжение 1200 В Номинальный ток коллек..

Категория:

Силовые полупроводниковые модули
Производитель:

StarPower
Количество:

3.000
Загрузить:

pdf

Роз.: 1675.67 грн.

от 10шт: 1593.78 грн.

Кол-во

IGBT модуль StarPower GD300HFY120C2S 300 А 1200 В

Технические характеристики: Производитель StarPower Тип модуля IGBT модуль Количество ключей 2 Топология Полумост Обратное напряжение 1200 В Номинальный ток коллектора 300 А Темература хранения -40 - +125 °C Диапазон рабочих температур -40 - +150 °C ..

Категория:

Силовые полупроводниковые модули
Производитель:

StarPower
Количество:

11.000
Загрузить:

pdf

Роз.: 5606.57 грн.

от 10шт: 5354.58 грн.

Кол-во

IGBT модуль StarPower GD35FSX120L2S 35 А 1200 В

Технические характеристики: Производитель StarPower Тип модуля IGBT модуль Количество ключей 6 Топология 3-фазный мост с NTC Обратное напряжение 1200 В Номинальный ток колле..

Категория:

Силовые полупроводниковые модули
Производитель:

StarPower
Количество:

3.000
Загрузить:

pdf

Роз.: 2337.12 грн.

от 10шт: 2267.82 грн.

Кол-во

IGBT модуль StarPower GD400HFY120C2S 400 А 1200 В

Технические характеристики: Производитель StarPower Тип модуля IGBT модуль Количество ключей 2 Топология Полумост Обратное напряжение 1200 В Номинальный ток коллектора 400 А Темература хранения -40 - +1..

Категория:

Силовые полупроводниковые модули
Производитель:

StarPower
Количество:

4.000

Роз.: 6696.37 грн.

от 10шт: 6501.10 грн.

Кол-во

IGBT модуль StarPower GD450HFY120C2S 450 А 1200 В

Технические характеристики: Производитель StarPower Тип модуля IGBT модуль Количество ключей 2 Топология Полумост Обратное напряжение 1200 В Номинальный ток коллектора 450 А Темература хранения -40 - +125 °C Диапазон рабочих температур -40 - +150 °C ..

Категория:

Силовые полупроводниковые модули
Производитель:

StarPower
Количество:

11.000
Загрузить:

pdf

Роз.: 7301.12 грн.

от 10шт: 6779.53 грн.

Кол-во

IGBT модуль StarPower GD50FFY120C5SF 50 А 1200 В

Категория:

Силовые полупроводниковые модули
Производитель:

StarPower
Количество:

4.000
Загрузить:

pdf

Роз.: 3355.12 грн.

от 10шт: 3256.85 грн.

Кол-во

IGBT модуль StarPower GD600HFY120C2S 600 А 1200 В

Технические характеристики: Производитель StarPower Тип модуля IGBT модуль Количество ключей 2 Топология Полумост Обратное напряжение 1200 В Номинальный ток коллектора 600 А Темература хранения -40 - +150 °C Диапазон рабочих температур -40 - +125 °C ..

Категория:

Силовые полупроводниковые модули
Производитель:

StarPower
Количество:

10.000
Загрузить:

pdf

Роз.: 9701.24 грн.

от 10шт: 9260.28 грн.

Кол-во

IGBT модуль StarPower GD75FFX170C6S 75 А 1700 В

Технические характеристики: Производитель StarPower Тип модуля IGBT модуль Количество ключей 6 Топология 3-фазный мост IGBT Обратное напряжение 1700 В Номинальный ток коллектора 75 А Темература хранения -40 - +125 °C Диапазон рабочих температур -40 - +..

Категория:

Силовые полупроводниковые модули
Производитель:

StarPower
Количество:

4.000
Загрузить:

pdf

Роз.: 8630.33 грн.

от 10шт: 8252.35 грн.

Кол-во

IGBT модуль StarPower GD75FSX120L3S 75 А 1200 В

Категория:

Силовые полупроводниковые модули
Производитель:

Semikron
Количество:

2.000
Загрузить:

pdf

Роз.: 4157.68 грн.

от 10шт: 4031.69 грн.

Кол-во

Показано с 1 по 10 из 46 (всего 5 страниц)

Trench IGBT технология представляет собой инновационный подход к созданию силовых модулей, который привносит эффективность и надежность в различные энергетические системы. Давайте ближе рассмотрим, как эта технология меняет игру в области силовой электроники.

Основы Trench IGBT технологии

Trench IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) - это технология, основанная на использовании структуры траншей для управления потоком энергии.

Принцип работы

Траншеи в структуре позволяют более эффективно управлять процессом переключения, снижая потери энергии.

Преимущества Trench IGBT технологии

Высокая эффективность

Силовые модули, построенные на технологии Trench IGBT, обеспечивают высокую эффективность преобразования энергии.

Низкие потери энергии

Структура траншей снижает тепловые потери и улучшает общую производительность.

Высокая скорость переключения

Trench IGBT технология позволяет достичь высоких скоростей переключения, что важно для точного управления силовыми системами.

Применение Trench IGBT технологии в силовых модулях

Инверторы для возобновляемых источников энергии

Trench IGBT модули активно используются в инверторах, преобразующих энергию из возобновляемых источников.

Применение в промышленных электроприводах

Силовые модули с технологией Trench IGBT находят широкое применение в промышленных электроприводах, где требуется высокая эффективность.

Преимущества Trench IGBT в силовых модулях

Улучшенная тепловая устойчивость

Структура траншей позволяет эффективнее распределять тепло, повышая тепловую устойчивость силовых модулей.

Снижение размеров и веса

Эффективное управление энергией позволяет создавать компактные и легкие силовые модули.

Trench IGBT Технология - передовое решение в силовой электронике

Trench IGBT технология становится нормой в силовой электронике, предоставляя эффективные решения для современных энергетических вызовов. Использование силовых модулей с технологией Trench IGBT обеспечивает высокую эффективность, надежность и широкий спектр применения в различных областях промышленности и энергетики.