ᐉ IGBT модуль. Купить модуль IGBT. Цена в Украине, Киеве, Днепре, Львове, Одессе, Харькове, Запорожье

IGBT модуль StarPower GD600HFY120C2S 600 А 1200 В

Технические характеристики: Производитель StarPower Тип модуля IGBT модуль Количество ключей 2 Топология Полумост Обратное напряжение 1200 В Номинальный ток коллектора 600 А Темература хранения -40 - +150 °C Диапазон рабочих температур -40 - +125 °C ..

Категория:

Силовые полупроводниковые модули
Производитель:

StarPower
Количество:

10.000
Загрузить:

pdf

Роз.: 9688.66 грн.

от 10шт: 9248.27 грн.

Кол-во

IGBT модуль StarPower GD75FFX170C6S 75 А 1700 В

Технические характеристики: Производитель StarPower Тип модуля IGBT модуль Количество ключей 6 Топология 3-фазный мост IGBT Обратное напряжение 1700 В Номинальный ток коллектора 75 А Темература хранения -40 - +125 °C Диапазон рабочих температур -40 - +..

Категория:

Силовые полупроводниковые модули
Производитель:

StarPower
Количество:

4.000
Загрузить:

pdf

Роз.: 8619.13 грн.

от 10шт: 8241.65 грн.

Кол-во

IGBT модуль StarPower GD75FSX120L3S 75 А 1200 В

Технические характеристики: Производитель StarPower Тип модуля IGBT модуль Количество ключей 6 Топология 3-фазный мост с NTC Обратное напряжение 1200 В Номинальный ток коллектора 75 А Темература хранения ..

Категория:

Силовые полупроводниковые модули
Производитель:

Semikron
Количество:

2.000
Загрузить:

pdf

Роз.: 4152.28 грн.

от 10шт: 4026.46 грн.

Кол-во

IGBT модуль StarPower GD75HFX170C1S 75 А 1700 В

Технические характеристики: Производитель StarPower Тип модуля IGBT модуль Количество ключей 2 Топология полумост IGBT Обратное напряжение 1700 В Номинальный ток коллектора 75 А Темература хранения -40 ..

Категория:

Силовые полупроводниковые модули
Производитель:

StarPower
Количество:

4.000

Роз.: 3145.67 грн.

от 10шт: 3007.26 грн.

Кол-во

IGBT модуль StarPower GD75HFY120C1S 150 А 1200 В

Технические характеристики: Производитель StarPower Тип модуля IGBT модуль Количество ключей 2 Топология Полумост Обратное напряжение 1200 В Номинальный ток коллектора 150 А Темература хранения -40 - +1..

Категория:

Силовые полупроводниковые модули
Производитель:

StarPower
Количество:

3.000
Загрузить:

pdf

Роз.: 2069.84 грн.

от 10шт: 1969.19 грн.

Кол-во

IGBT модуль StarPower GD800HFA120C2S_B20 800 А 1200 В

Технические характеристики: Производитель StarPower Тип модуля IGBT модуль Количество ключей 2 Топология Полумост Обратное напряжение 1200 В Номинальный ток коллектора 800 А Темература хранения -40 - +150 °C Диапазон рабочих температур -40 - +125 °C ..

Категория:

Силовые полупроводниковые модули
Производитель:

StarPower
Количество:

12.000

Роз.: 12614.12 грн.

от 10шт: 12016.45 грн.

Кол-во

IGBT модуль StarPower GD900SGX120C2SA_B20 900 А 1200 В

Технические характеристики: Производитель StarPower Тип модуля IGBT модуль Количество ключей 2 Топология Полумост Обратное напряжение 1200 В Номинальный ток коллектора 900 А Темература хранения -40 - +150 °C Диапазон рабочих температур -40 - +125 °C ..

Категория:

Силовые полупроводниковые модули
Производитель:

StarPower
Количество:

12.000

Роз.: 10821.10 грн.

от 10шт: 10317.79 грн.

Кол-во

IGBT модуль Infineon FS25R12W1T7B11BOMA1 25 А 1200 В

Технические характеристики: Производитель Infineon Тип модуля IGBT модуль Количество ключей 7 Топология 3-фазный мост IGBT Обратное напряжение 1200 В Номинальный ток коллектора 25 А Темература хранения -40 - +175 °C Диапазон рабочих температур -40 - +1..

Категория:

Силовые полупроводниковые модули
Производитель:

Infineon
Количество:

0.000

Роз.: 2164.22 грн.

от 10шт: 2061.04 грн.

Кол-во

IGBT модуль Infineon FS50R12W1T7B11BOMA1 50 А 1200 В

Технические характеристики: Производитель Infineon Тип модуля IGBT модуль Количество ключей 7 Топология 3-фазный мост IGBT Обратное напряжение 1200 В Номинальный ток коллектора 50 А Темература хранения -40 - +175 °C Диапазон рабочих температур -40 - +1..

Категория:

Силовые полупроводниковые модули
Производитель:

Infineon
Количество:

0.000

Роз.: 4523.47 грн.

от 10шт: 4309.56 грн.

Кол-во

IGBT модуль Infineon FS75R12W2T7BPSA1 75 А 1200 В

Технические характеристики: Производитель Infineon Тип модуля IGBT модуль Количество ключей 7 Топология 3-фазный мост IGBT Обратное напряжение 1200 В Номинальный ток коллектора 75 А Темература хранения ..

Категория:

Силовые полупроводниковые модули
Производитель:

Infineon
Количество:

0.000

Роз.: 2705.28 грн.

от 10шт: 2576.30 грн.

Кол-во

IGBT модули